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HOME研究所概要研究部門ナノビジョン研究部門極限デバイス研究部門ナノマテリアル研究部門生体計測研究部門成果報告組織評価教育研究活動に関する年次報告プロジェクト成果報告イベント情報研究所で学ぶには公募情報お問い合わせ 研究室ホームページ 研究室ホームページ 研究室ホームページ 　当分野の学問的なバックグラウンドは、単電子デイバスに代表されるナノデバイス、電磁界解析（シミュレーション）、プラズモニクス、ナノフォトニクス等であるが、電子線描画を中心としたナノ加工技術を駆使してデバイスを作製し実証することを常に目指している。SOI MOSFETによる室温動作、低ダークカウント(～0.01 cps)の単一フォトン検出表面プラズモン(SP)アンテナによるSOIフォトダイオードの量子効率向上と高感度屈折率測定への応用金微粒子ナノコンポジット膜によるフォトダイオード感度増強金属コート円錐プリズムを用いた表面プラズモン局在化励起SPアンテナによるバイオセンシング金属ナノレンズを用いた超解像イメージングナノデバイスを用いた光検出波長域のTHz, 赤外への拡大単電子トランジスタの整流作用などの新原理による光検出ナノデバイス集積化によるイメージングの高度化重いSn原子とナノ構造を複合利用した熱電特性 (c) Research Institute of Electronics, Shizuoka University. All Rights Reserved.